차세대 반도체라 일컫는 제3세대 시스템 반도체 핵심소재인 SiC PVT 성장결정체는
전력 및 통신용 시스템제어 분야에서 매우 핵심적인 구성요소입니다.
PVT 성장로의 가장 중요한 부분인 원료부와 성장부의 온도구배를 효율적으로 제어할 수 있다.
MF 코일의 위치 변경이 용이하여 Hot-Zone의 △T를 용이하게 형성할 수 있다.
각각의 공정특성이 중요한 고객의 요구에 맞춤형 장비제작이 가능하다.
성장기간이 3~5일 정도로 긴 공정 시간에 대한 Data가 완벽하게 기록되며
시뮬레이션 수치 해석에 의한 MF-Coil - Growing Reactor - Osilater 간 최적의 매칭과 전력제어장치가 장착된다.
자체 개발한 제어 시스템은 고부가 부품의 안전회로를 장착하였고, 결정성장 프로세서의 자동화와 Log Data 전송관리가 완벽하여 재현성확보, 안전관리면에서 최적의 제어장치이다.
내용 | 4 Inch | 6 Inch | 8 Inch |
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온도 | Max 2,500℃ (2,100~2,400℃) | ||
장비 크기 | W1500xD2200xH3500 | W1500xD2300xH3500 | W1600xD2300xH3750 |
가열방식 | MF Induction Heating | ||
공진 주파수 (KHz) | 5~25 | 10~25 | 5~30 |
가열 분위기 | Vacuum & Gas(N2,Ar,H2,He/User의 요구에 따라 선택 | ||
공급전력 (Kw) | 20~40 | 30~50 | 30~60 |
도가니 크기 | 180~210 | 250~290 | 270~300 |
Reactor Quartz Tube | Single Tube Air Cooling | ||
제어 운용프로그램 | PLC제어+ PC HMI/Log . OPC:Kepware |
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